LEEM P90
发布日期: 2020-03-22 浏览次数：
产品介绍
光发射电子显微镜(PEEM)就是一种使用汞灯、激光、X射线或者同步辐射光源作为光电子激发源照射表面，然后通过收集光发射电子来对固体表面结构、电子态等物理化学性质进行原位、动态研究的表面成像技术。当把激发源换为场发射电子枪时即为低能电子显微镜(LEEM)。
PEEM和LEEM在后面的透镜系统和探测系统完全是一样的，只是初始时产生电子的机制不同，LEEM成像电子来源是电子束的弹性散射，而PEEM成像电子来源是光照射表面产生的光电子。其中红色光路部分为PEEM/LEEM共同光路，而从电子枪到样品的蓝色光路部分为LEEM独有的。成像时样品处加15 kV负高压，表面出来的低能电子，加速后通过物镜后，经过色散棱镜完成90°偏转，然后通过一系列投影透镜，最后到CCD探测器处成实空间像。
同时因为电子在成像过程中有90°偏转，在PEEM模式下，配合能量过滤器(Energy filter)可完成电子能量筛选，实现光电子能谱分析功能。同时在LEEM模式下低能电子在样品表面发生衍射，可以生成低能电子衍射(LEED)图像。
电子光学系统
该系统用于LEEM成像的电子枪为一套冷场发射电子枪，具有束斑小、分辨率高、能散小的特点，能散小于300 meV。用于PEEM成像的常用光源为Hg灯，光子能量为4.9 eV。现在中科科仪与中科院理化所合作，研制出DUV-PEEM，使用177.3 nn深紫外激光对表面进行光发射成像。利用其能量高、单色性好的特点，获得更高的分辨率。
产品特点
● 5纳米的分辨率
● 90°磁偏转器
● 冷场发射器
● 能量过滤器
● LEED / LEEM快速切换
● 快速样品交换
产品功能
该系统因既能对实空间进行实时成像，还能观测能量空间，进行晶格结构信息以及能谱分析。因其强大的功能，因此在多领域都有着广泛的应用，比如薄膜生长、磁学、催化、等离激元等等。
产品参数
PEEM电子光学系统
1. 提取电压典型值为15kV,可按比例降低至2kV；
2. 自屏蔽磁透镜；
3. 90〬磁偏转透镜；
4. 放大率：400倍 至 50000倍；
5. 集成图像能量过滤器，能量分辨率< 250 meV（采谱模式），< 1.7 eV（成像模式）；
6. 不同工作模式（成像模式，采谱模式/衍射模式）间可由软件控制快速切换；
7. 带有微通道板的2D探测器，并配置Peltier冷却相机；
8. 可变视场，1 um至100 μm；
9. 分辨率优于10 nm（由光源强度决定）；
LEEM电子光学模块
1. 冷场发射电子源并带有全套电子系统
2. 可变束斑直径<40 μm，增加微区衍射光阑时，束斑直径可缩小至200nm；
3．照射电子的能量宽度，<300 meV；
4．用于微区低能电子衍射的可变衍射光阑，束斑直径<1 μm；
5. LEEM分辨率优于5 nm；
产品链接
https://www.specs-group.com/nc/specs/products/detail/fe-leempeem-p90/#
